DEI 700系列20V雙極模擬/混合信號ASIC
發布時間:2025-07-28 09:09:38 瀏覽:1807
Device Engineering Incorporated (DEI)700系列半定制20V雙極模擬/混合信號ASIC(專用集成電路),適用于放大器、比較器、穩壓器、邏輯門等設計。

關鍵特性
工藝技術:4微米金屬層先進工藝,芯片尺寸小、復雜度高。
晶體管性能:
NPN:典型β=200,fT=800MHz,最大電流200mA(大尺寸NPN)。
PNP:β=40–90,fT=15MHz。
電阻網絡:750Ω基礎電阻,支持串并聯組合(50Ω–100kΩ),匹配精度2%(1%當使用≥10個電阻)。
設計靈活性:支持金屬掩模定制,快速投產。
芯片型號
| Table 1:700 Series Base Chip Summary | |||||||||
| Chip Series | 710 | 711 | 712 | 713 | 723 | 724 | 734 | 736 | 747 |
| Pads | 4 | 8 | 17 | 22 | 25 | 30 | 30 | 41 | 48 |
| NPN/PNP Transistors | 14 | 22 | 27 | 39 | 60 | 80 | 120 | 180 | 280 |
| Schottky NPN Transistors | 4 | 6 | 10 | 11 | 12 | 16 | 24 | 36 | 56 |
| Large NPN Transistors | 1 | 1 | 1 | 2 | 3 | 4 | 9 | 5 | 9 |
| Large PNP Transistors | 0 | 1 | 1 | 2 | 3 | 3 | 6 | 4 | 5 |
| Total Transistors | 33 | 52 | 66 | 93 | 143 | 183 | 279 | 405 | 630 |
| 750 Ohm Resistors | 122 | 190 | 210 | 411 | 623 | 895 | 1268 | 1798 | 2487 |
| Total Base Resistance(Ohms) | 91k | 142k | 160k | 310k | 470k | 675k | 950k | 1.35M | 1.87M |
| Base Pinch Resistors | 2 | 2 | 9 | 9 | 7 | 11 | 8 | 14 | 16 |
| Epi Pinch Resistors | 1 | 1 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| Junction Capacitors | 1 | 2 | 2 | 4 | 7 | 7 | 9 | 12 | 10 |
| Cross Unders | 40 | 60 | 70 | 160 | 200 | 300 | 450 | 650 | 950 |
電氣規格
絕對最大額定值:
電源電壓:20V
工作溫度:-55°C至+125°C(陶瓷封裝)
ESD防護:2000V(人體模型)。
典型參數:
NPN的BVCEO≥20V,PNP的BVCEO≥5.6V
基極電阻匹配誤差≤2%。
封裝選項
塑料封裝:DIP、SOIC(窄/寬體)、PLCC。
陶瓷封裝:DIP(300/600 mil)。
引腳數覆蓋8–48腳。
典型應用電路
跨導放大器(帶寬20MHz)
運算放大器(開環增益88dB)
555定時器(全雙極實現)
電壓-電流轉換器(響應時間150ns)。
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推薦資訊
VishayBC04108208DXAA,BC06129189DXXA,BC08208408DXBA電容器具有寬溫工作范圍(-55°C至+125°C)和高電壓耐受能力(25-500VDC),在1kHz/1VRMS條件下損耗因數≤3.5%,絕緣電阻達100000MΩ(25°C)或1000MΩ(125°C),適用于5G基站、射頻測試儀器及高速數據鏈路等高頻應用場景。
MTI-Milliren 412系列TCXO是一款高性能溫度補償晶體振蕩器,提供HCMOS/TTL輸出,14引腳DIP封裝,工作頻率1.5 MHz至40 MHz,支持5 V和3.3 V電源,具有低輸入電流,頻率穩定性可選±10 ppm至±20 ppm,適用于0°C至70°C或-40°C至85°C等溫度范圍。具備低相位噪聲、可調諧頻率、低失真正弦波輸出和快速上升/下降時間,適用于通信和精密測量設備。
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